SIS412DN-T1-GE3

Документи:

SIS412DN-T1-GE3

Артикул: 279381
Виробник: VISHAY
Корпус: PowerPAK1212-8
Наявність: Доступний під замовлення
Наявність в магазинах Києва:
УмовиНаявність Термін поставки Кратність Ціна

Характеристики:


Тип каналу N
Напруга пробиття стік-витік (Ubrdss), В 30
Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А 12
Максимальний струм стік-витік при 100°С (Id(100°С)), А 8.7
Максимальний імпульсний струм стоку (Idm), А 30
Максимально допустима напруга затвор-витік (Ugs max), В 20
Повний заряд затвору, нКл 3.8
Потужність, що розсіюється при 25°C (Pd), Вт 15.6
Опір стік-витік при 10V (Rdson), Ом 0.024
Опір стік-витік при 4,5V (Rdson), Ом 0.03

Докладний опис


Приховати / Показати
MOSFET транзистор SIS412DN-T1-GE3, VISHAY, N-канал, 30V 12A 15,6W, PowerPAK1212-8

Самовивіз:

«Магазин Імрад»

«Магазин Імрад» м.Київ, вул. Шутова, 9а, 1 поверх Пн-Пт з 9.00-17.00, Сб з 9.00-15.00, Нд - вихідний

Офіс

Офіс м.Київ, вулиця Шутова, 9А, ПН-ПТ: з 9:30 до 17:00; Субота-Неділя: вихідні

Служби доставки:

УкрПошта

УкрПошта

УкрПошта Експрес

УкрПошта Експрес

Нова Пошта

Нова Пошта

  • Рахунок для організації з ПДВ
  • Рахунок для приватної особи (в т.ч. ФОП)
  • В магазині при отриманні
  • Онлайн: Приват24, Visa/MasterCard, ApplePay, GPay
  • Онлайн: MonoPay, Visa/MasterCard, ApplePay, GooglePay