SIS412DN-T1-GE3
Артикул: | 279381 |
Виробник: | VISHAY |
Корпус: | PowerPAK1212-8 |
Наявність: | Доступний під замовлення |
Наявність в магазинах Києва: |
УмовиНаявність | Термін поставки | Кратність | Ціна |
---|
Характеристики:
Тип каналу | N | |
Напруга пробиття стік-витік (Ubrdss), В | 30 | |
Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А | 12 | |
Максимальний струм стік-витік при 100°С (Id(100°С)), А | 8.7 | |
Максимальний імпульсний струм стоку (Idm), А | 30 | |
Максимально допустима напруга затвор-витік (Ugs max), В | 20 | |
Повний заряд затвору, нКл | 3.8 | |
Потужність, що розсіюється при 25°C (Pd), Вт | 15.6 | |
Опір стік-витік при 10V (Rdson), Ом | 0.024 | |
Опір стік-витік при 4,5V (Rdson), Ом | 0.03 |
Докладний опис
MOSFET транзистор SIS412DN-T1-GE3, VISHAY, N-канал, 30V 12A 15,6W, PowerPAK1212-8
Способи отримання
Самовивіз:
«Магазин Імрад» м.Київ, вул. Шутова, 9а, 1 поверх Пн-Пт з 9.00-17.00, Сб з 9.00-15.00, Нд - вихідний
Офіс м.Київ, вулиця Шутова, 9А, ПН-ПТ: з 9:30 до 17:00; Субота-Неділя: вихідні
Служби доставки:
УкрПошта
УкрПошта Експрес
Нова Пошта
Способи оплати
- Рахунок для організації з ПДВ
- Рахунок для приватної особи (в т.ч. ФОП)
- В магазині при отриманні
- Онлайн: Приват24, Visa/MasterCard, ApplePay, GPay
- Онлайн: MonoPay, Visa/MasterCard, ApplePay, GooglePay