SIS412DN-T1-GE3

Документы:

SIS412DN-T1-GE3

Артикул: 279381
Производитель: VISHAY
Корпус: PowerPAK1212-8
Наличие: Доступен под заказ
Наличие в магазинах Киева:
УсловияНаличие Срок поставки Кратность Цена

Характеристики:


Тип канала N
Напряжение пробоя сток-исток (Ubrdss), В 30
Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А 12
Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А 8.7
Максимальный импульсный ток стока (Idm), А 30
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Ugs max), В 20
Полный заряд затвора, нКл 3.8
Рассеиваемая мощность при 25°C (Pd), Вт 15.6
Сопротивление сток-исток при 10V (Rdson), Ом 0.024
Сопротивление сток-исток при 4,5V (Rdson), Ом 0.03

Подробное описание


Скрыть/Показать
MOSFET транзистор SIS412DN-T1-GE3, VISHAY, N-канал, 30V 12A 15,6W, PowerPAK1212-8

Самовывоз:

«Магазин Имрад»

«Магазин Имрад» г.Киев, ул. Шутова, 9а, вход с крыльца Пн-Пт с 9.00-17.00, Сб с 9.00-15.00

Офис

Офис г.Киев, ул.Шутова, 9А, ПН-ПТ: с 9:00 до 17:00; СБ-ВС: выходные

Службы доставки:

УкрПочта

УкрПочта

УкрПочта Экспресс

УкрПочта Экспресс

Нова Пошта

Нова Пошта

  • Счет для предприятия с НДС
  • Счет для физ. лиц (в т.ч. ФОП)
  • В магазине при получении
  • Онлайн: Приват24, Visa/MasterCard, ApplePay, GPay
  • Онлайн: MonoPay, Visa/MasterCard, ApplePay, GooglePay