SI2325DS-T1-GE3

Документи:

SI2325DS-T1-GE3

Артикул: 181661
Виробник: VISHAY
Корпус: SOT-23
Наявність: Доступний під замовлення
Наявність в магазинах Києва:
УмовиНаявність Термін поставки Кратність Ціна

Характеристики:


Тип каналу P
Напруга пробиття стік-витік (Ubrdss), В 150
Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А 0.53
Опір стік-витік при 10V (Rdson), Ом 1.2
Потужність, що розсіюється при 25°C (Pd), Вт 0.75
Максимально допустима напруга затвор-витік (Ugs max), В 20
Максимальний імпульсний струм стоку (Idm), А 1.6
Повний заряд затвору, нКл 7.7
Потужність, яка розсіюється при 100°C (Pd(100°C)), Вт 0.42
Опір стік-витік при 4,5V (Rdson), Ом 1.3

Докладний опис


Приховати / Показати
MOSFET транзистор SI2325DS-T1-GE3, VISHAY, P-канал, 150V 0,53A 0,75W, SOT23

Самовивіз:

«Магазин Імрад»

«Магазин Імрад» м.Київ, вул. Шутова, 9а, 1 поверх Пн-Пт з 9.00-17.00, Сб з 9.00-15.00, Нд - вихідний

Офіс

Офіс м.Київ, вулиця Шутова, 9А, ПН-ПТ: з 9:30 до 17:00; Субота-Неділя: вихідні

Служби доставки:

УкрПошта

УкрПошта

УкрПошта Експрес

УкрПошта Експрес

Нова Пошта

Нова Пошта

  • Рахунок для організації з ПДВ
  • Рахунок для приватної особи (в т.ч. ФОП)
  • В магазині при отриманні
  • Онлайн: Приват24, Visa/MasterCard, ApplePay, GPay
  • Онлайн: MonoPay, Visa/MasterCard, ApplePay, GooglePay