SI2308BDS-T1-GE3

Документи:

SI2308BDS-T1-GE3

Артикул: 172757
Виробник: VISHAY
Корпус: SOT23 (TO-236AB)
Наявність:
Наявність в магазинах Києва:

Характеристики:


Тип каналу N
Напруга пробиття стік-витік (Ubrdss), В 60
Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А 2.3
Максимальний імпульсний струм стоку (Idm), А 8
Максимально допустима напруга затвор-витік (Ugs max), В 20
Повний заряд затвору, нКл 2.3
Потужність, що розсіюється при 25°C (Pd), Вт 1.66
Потужність, яка розсіюється при 100°C (Pd(100°C)), Вт 1.06
Опір стік-витік при 10V (Rdson), Ом 0.156
Опір стік-витік при 4,5V (Rdson), Ом 0.192
Тип монтування SMD

Докладний опис


Приховати / Показати
MOSFET транзистор SI2308BDS-T1-GE3, VISHAY, N-канал, 60V 2,3A 1,66W, SOT23

Самовивіз:

«Магазин Імрад»

«Магазин Імрад» м.Київ, вул. Шутова, 9а, 1 поверх Пн-Пт з 9.00-17.00, Сб з 9.00-15.00, Нд - вихідний

Офіс

Офіс м.Київ, вулиця Шутова, 9А, ПН-ПТ: з 9:30 до 17:00; Субота-Неділя: вихідні

Служби доставки:

УкрПошта

УкрПошта

УкрПошта Експрес

УкрПошта Експрес

Нова Пошта

Нова Пошта

  • Рахунок для організації з ПДВ
  • Рахунок для приватної особи (в т.ч. ФОП)
  • В магазині при отриманні
  • Онлайн: Приват24, Visa/MasterCard, ApplePay, GPay
  • Онлайн: MonoPay, Visa/MasterCard, ApplePay, GooglePay