NTJD1155LT1G

Документи:

NTJD1155LT1G

Артикул: 192715
Виробник: ON Semiconductor
Корпус: SOT-363
Наявність: Доступний під замовлення
Наявність в магазинах Києва:
УмовиНаявність Термін поставки Кратність Ціна

Характеристики:


Маркування на корпусі TBM
Тип каналу P
Напруга пробиття стік-витік (Ubrdss), В 8
Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А 1.3
Максимально допустима напруга затвор-витік (Ugs max), В 8
Потужність, що розсіюється при 25°C (Pd), Вт 0.4
Опір стік-витік при 4,5V (Rdson), Ом 0.13
Опір стік-витік при 2,5V (Rdson), Ом 0.17
Опір стік-витік при 1,8V (Rdson), Ом 0.26
Тип монтування SMD

Докладний опис


Приховати / Показати
MOSFET транзистор NTJD1155LT1G, ON Semiconductor, P-канал, 8V 1,3A 0,4W, SOT363

Самовивіз:

«Магазин Імрад»

«Магазин Імрад» м.Київ, вул. Шутова, 9а, 1 поверх Пн-Пт з 9.00-17.00, Сб з 9.00-15.00, Нд - вихідний

Офіс

Офіс м.Київ, вулиця Шутова, 9А, ПН-ПТ: з 9:30 до 17:00; Субота-Неділя: вихідні

Служби доставки:

УкрПошта

УкрПошта

УкрПошта Експрес

УкрПошта Експрес

Нова Пошта

Нова Пошта

  • Рахунок для організації з ПДВ
  • Рахунок для приватної особи (в т.ч. ФОП)
  • В магазині при отриманні
  • Онлайн: Приват24, Visa/MasterCard, ApplePay, GPay
  • Онлайн: MonoPay, Visa/MasterCard, ApplePay, GooglePay