Каталог товарів MOSFET транзистор здвоєний

Сортування:
Відображення:
  • Виберіть фільтри:
  • Бренд
  • Ціна
  • Корпус
  • Тип каналу і конфігурація
  • Напруга пробиття стік-витік (Ubrdss), В
  • Напруга пробою стік-витік 2 канал (Ubrdss2), В
  • Максимально допустима напруга затвор-витік (Ugs max), В
  • Максимально допустима напруга затвор-витік 2 канал (Ugs max2), В
  • Максимальний струм стік-витік при 25°С (1-й канал) (Id Сh1 ), А
  • Максимальний струм стік-витік при 25°С (2-й канал) (Id Сh2 ), А
  • Максимальний струм стік-витік при 100°С (1-й канал) (Id Ch1(100°С)), А
  • Максимальний струм стік-витік при 100°С (2-й канал) (Id Ch2(100°С)), А
  • Максимальний імпульсний струм стоку (Idm), А
  • Максимальний імпульсний струм витоку 2 канал (Idm2), А
  • Потужність, що розсіюється при 25°C (Pd), Вт
  • Опір стік-витік при 10V (1-й канал) (Rdson1), мОм
  • Опір стік-витік при 10V (2-й канал) (Rdson2), мОм
  • Опір стік-витік при 4,5V (1-й канал), мОм
  • Опір стік-витік при 4,5V (2-й канал), мОм
  • Опір стік-витік при 2,5V (1-й канал), мОм
  • Опір стік-витік при 2,5V (2-й канал), мОм
  • Час включення (1-й канал), нс
  • Опір стік-витік при 1,8V (1-й канал), мОм
  • Час включення (2-й канал), нс
  • Час вимикання (1-й канал), нс
  • Опір стік-витік при 1,8V (2-й канал), мОм
  • Час виключення (2-й канал), нс
  • Повний заряд затвору, нКл
  • Повний заряд затвора 2 канал, нКл
  • Тип монтування
  • Бренд: ROHM SEMICONDUCTOR

Підібрано 9 товарів з 744

Характеристики
Виводити по:
Виводити по: