MOSFET транзистор сдвоенный

Сортировка:
Вид:
  • Выберите фильтры:
  • Производитель
  • Цена
  • Корпус
  • Время включения (1-й канал), нс
  • Время включения (2-й канал), нс
  • Время выключения (1-й канал), нс
  • Время выключения (2-й канал), нс
  • Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Ugs max), В
  • Максимальный импульсный ток стока (Idm), А
  • Максимальный ток сток-исток при 100°С (1-й канал) (Id Ch1(100°С)), А
  • Максимальный ток сток-исток при 100°С (2-й канал) (Id Ch2(100°С)), А
  • Полный заряд затвора, нКл
  • Рассеиваемая мощность при 100°C (Pd(100°C)), Вт
  • Сопротивление сток-исток при 1,8V (1-й канал), мОм
  • Сопротивление сток-исток при 2,5V (2-й канал), мОм
  • Сопротивление сток-исток при 4,5V (1-й канал), мОм
  • Сопротивление сток-исток при 4,5V (2-й канал), мОм
  • Тип канала и конфигурация
  • Напряжение пробоя сток-исток (Ubrdss), В
  • Максимальный ток сток-исток при 25°С (1-й канал) (Id Сh1 ), А
  • Максимальный ток сток-исток при 25°С (2-й канал) (Id Сh2 ), А
  • Рассеиваемая мощность при 25°C (Pd), Вт
  • Сопротивление сток-исток при 10V (1-й канал) (Rdson1), мОм
  • Сопротивление сток-исток при 10V (2-й канал) (Rdson2), мОм
  • Сопротивление сток-исток при 1,8V (2-й канал), мОм
  • Сопротивление сток-исток при 2,5V (1-й канал), мОм
Все товары
Только в наличии
В продаже
Характеристики
Выводить по: