FDB3632

Документи:

FDB3632

Артикул: 190659
Виробник: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Наявність: В наявності
Наявність в магазинах Києва:
УмовиНаявність Термін поставки Кратність Ціна
Наявність Є в наявності Термін поставки на складі Кратність 1

187,63 грн/шт

181,58 грн/шт - від 2

177,94 грн/шт - від 5

171,89 грн/шт - від 15

Характеристики:


Тип каналу N
Напруга пробиття стік-витік (Ubrdss), В 100
Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А 80
Максимальний струм стік-витік при 100°С (Id(100°С)), А 12
Максимально допустима напруга затвор-витік (Ugs max), В 20
Повний заряд затвору, нКл 84
Потужність, що розсіюється при 25°C (Pd), Вт 310
Опір стік-витік при 10V (Rdson), Ом 0.0075
Опір стік-витік при 4,5V (Rdson), Ом 0.009

Докладний опис


Приховати / Показати
MOSFET транзистор FDB3632, ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD), N-канал, 100V 80A 310W, D2PAK

Самовивіз:

«Магазин Імрад»

«Магазин Імрад» м.Київ, вул. Шутова, 9а, 1 поверх Пн-Пт з 9.00-17.00, Сб з 9.00-15.00, Нд - вихідний

Офіс

Офіс м.Київ, вулиця Шутова, 9А, ПН-ПТ: з 9:30 до 17:00; Субота-Неділя: вихідні

Служби доставки:

УкрПошта

УкрПошта

УкрПошта Експрес

УкрПошта Експрес

Нова Пошта

Нова Пошта

  • Рахунок для організації з ПДВ
  • Рахунок для приватної особи (в т.ч. ФОП)
  • В магазині при отриманні
  • Онлайн: Приват24, Visa/MasterCard, ApplePay, GPay
  • Онлайн: MonoPay, Visa/MasterCard, ApplePay, GooglePay