SI2309CDS-T1-GE3

Документы:

SI2309CDS-T1-GE3

Артикул: 175952
Производитель: VISHAY
Корпус: SOT23
Наличие: В наличии
Наличие в магазинах Киева:
УсловияНаличие Срок поставки Кратность Цена
Наличие Есть в наличии Срок поставки на складе Кратность 1

15,63 грн/шт

15,08 грн/шт - от 10

14,64 грн/шт - от 50

13,81 грн/шт - от 80

Характеристики:


Тип канала P
Напряжение пробоя сток-исток (Ubrdss), В 60
Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А 1.6
Сопротивление сток-исток при 4,5V (Rdson), Ом 0.45
Рассеиваемая мощность при 25°C (Pd), Вт 1.7
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Ugs max), В 20
Максимальный импульсный ток стока (Idm), А 8
Полный заряд затвора, нКл 2.7
Рассеиваемая мощность при 100°C (Pd(100°C)), Вт 1.1
Сопротивление сток-исток при 10V, Ом 0.345

Подробное описание


Скрыть/Показать
MOSFET транзистор SI2309CDS-T1-GE3, VISHAY, P-канал, 60V 1,6A 1,7W, SOT23

Способы получения


Скрыть/Показать

Самовывоз:

«Магазин Имрад»

«Магазин Имрад» г.Киев, ул. Шутова, 9а, вход с крыльца Пн-Пт с 9.00-19.00, Сб с 9.00-15.00

Офис

Офис г.Киев, ул.Шутова, 9А, ПН-ПТ: с 9:00 до 18:00; СБ-ВС: выходные

Службы доставки:

УкрПочта

УкрПочта

УкрПочта Экспресс

УкрПочта Экспресс

Нова Пошта

Нова Пошта

Способы оплаты


Скрыть/Показать
  • Счет с НДС
  • Счет для неплательщиков НДС (в т.ч. ФОП)
  • В магазине при получении
  • На карту ПриватБанка
  • Онлайн: Приват24, Visa/MasterCard, ApplePay, GPay